特許

J-GLOBAL ID：200903090355667701

トリフェニルアミン化合物の製造方法

発明者： 遠藤 浩幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-086580
公開番号（公開出願番号）：特開平11-279127
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】 電荷輸送材料として有用なトリフェニルアミン化合物の製造方法を提供する。【解決手段】 一般式(3)で示されるトリフェニルアミン化合物は、対応する亜リン酸トリエステル誘導体とカルボニル化合物とを塩基の存在下に反応させることにより、効率よく製造することが可能である。【化1】(式中、Ar1〜Ar6は置換基を有していても良いフェニル基を示す。Ar基上の置換基は、炭素数が1から4のアルキル基,炭素数が1から4のアルコキシ基,アミノ基,炭素数が1から4のアルキルアミノ基,炭素数が1から4のジアルキルアミノ基,炭素数が1から4のアルキルチオ基,ハロゲン元素,炭素数が1から4のハロゲノアルキル基であり、これらの置換基がフェニル基上に複数置換していても良い。置換基を複数有する場合には、その置換基は同一でも異なっていても良い。R1〜R6は水素もしくはメチル基を示す。)

請求項（抜粋）：

次の一般式(1)で示される亜リン酸トリエステル誘導体と一般式(2)で示されるカルボニル化合物とを塩基の存在下で反応させることを特徴とする一般式(3)で示されるトリフェニルアミン化合物の製造方法。【化1】(式中、Rは水素もしくはメチル基を示す。)【化2】(式中、Arは置換基を有していても良いフェニル基を示す。Ar基上の置換基は、炭素数が1から4のアルキル基,炭素数が1から4のアルコキシ基,アミノ基,炭素数が1から4のアルキルアミノ基,炭素数が1から4のジアルキルアミノ基,炭素数が1から4のアルキルチオ基,ハロゲン元素,炭素数が1から4のハロゲノアルキル基であり、これらの置換基がフェニル基上に複数置換していても良い。置換基を複数有する場合には、その置換基は同一でも異なっていても良い。)【化3】(式中、Ar1〜Ar6は置換基を有していても良いフェニル基を示す。Ar基上の置換基は、炭素数が1から4のアルキル基,炭素数が1から4のアルコキシ基,アミノ基,炭素数が1から4のアルキルアミノ基,炭素数が1から4のジアルキルアミノ基,炭素数が1から4のアルキルチオ基,ハロゲン元素,炭素数が1から4のハロゲノアルキル基であり、これらの置換基がフェニル基上に複数置換していても良い。置換基を複数有する場合には、その置換基は同一でも異なっていても良い。R1〜R6は水素もしくはメチル基を示す。)

IPC (9件)：

C07C211/54 ,  B01J 23/04 ,  B01J 27/24 ,  B01J 31/02 101 ,  C07C209/10 ,  C07C209/60 ,  C07C209/68 ,  G03G 5/06 312 ,  C07B 61/00 300

FI (9件)：

C07C211/54 ,  B01J 23/04 X ,  B01J 27/24 X ,  B01J 31/02 101 X ,  C07C209/10 ,  C07C209/60 ,  C07C209/68 ,  G03G 5/06 312 ,  C07B 61/00 300