特許
J-GLOBAL ID：200903090355873719
多重量子井戸光変調素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-309032
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164067
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 高速変調或いは強入力光強度においても、消光比の劣化を招くことなく光変調動作を行うことができ、光ファイバ通信等に適した外部変調方式の多重量子井戸光変調素子を提供すること。【構成】 障壁層21と井戸層22を交互に積層した複数の量子井戸から多重量子井戸領域(光吸収層)20を形成し、この光吸収層20を入射光の波長に対して透過状態又は吸収状態に選択することにより、光吸収層20を介して得られる光を変調する多重量子井戸光変調素子において、光吸収層20の量子井戸22は3つ以上の量子準位を有し、隣接する量子井戸間で第1量子準位と第2量子準位の間の共鳴トンネル及び第2量子準位と第3量子準位の間の共鳴トンネルが、同一のバイアス電圧において生じるように量子井戸構造を設定したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
所定波長の光が入射される光吸収層が複数個の量子井戸からなり、この光吸収層に加わるバイアス電圧により該光吸収層を入射光の波長に対して透過状態又は吸収状態に選択することにより、光吸収層を介して得られる光を変調する多重量子井戸光変調素子であって、前記光吸収層の量子井戸は3つ以上の量子準位を有し、隣接する量子井戸間で第1量子準位と第2量子準位の間の共鳴トンネル及び第2量子準位と第3量子準位の間の共鳴トンネルが、同一のバイアス電圧において生じるように量子井戸構造を設定してなることを特徴とする多重量子井戸光変調素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H04B 10/04
, H04B 10/06
