特許
J-GLOBAL ID：200903090360851634
フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287527
公開番号（公開出願番号）：特開平6-138650
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】ドライエッチング耐性が不充分ではあるものの高感度な性能を有するポジ型電子線レジストを用いてドライエッチング法を施し、生産性が高く安定し且つ高品質でもあるフォトマスクを得るためのフォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法を提供する。【構成】遮光膜がクロム(Cr)とケイ素(Si)とを共に含み主成分とする膜であり、低反射膜はクロム酸化物あるいはクロム窒素酸化物からなる膜であるフォトマスクブランクと、そして、四塩化炭素と酸素との混合ガス、またはジクロロメタンと酸素との混合ガス、を用いて該低反射膜に選択的にドライエッチング法を施した後、形成された低反射膜パターンをマスクとして酸素ガスを用いて該遮光膜に選択的にドライエッチング法を施すことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透光性基板上に少なくとも遮光膜と低反射膜とがこの順序で設けてあるフォトマスクブランクにおいて、該遮光膜がクロムとケイ素とを共に含み主成分とする膜であり、一方、該低反射膜はクロム酸化物あるいはクロム窒素酸化物からなる膜であることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (2件)：
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