特許
J-GLOBAL ID：200903090363118563
加速度センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363620
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177113
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】実装面積を従来構成より小さくしながらも体積に占めるマス部の割合を大きくして高感度化した加速度センサの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板32は、複数個のセンサ本体10が連続して配列されるとともに可撓部13の延長方向において隣接するセンサ本体10のうちの一方のマス部12の先端と他方の支持枠11との間にマス部12の先端縁に沿ったスリット34が形成されている。ダイシングの際にはスリット34の近傍をスリット34に沿って切断することにより、支持枠11の一辺が開放された形状になり、加速度センサの体積に占めるマス部12の割合が大きくなる。
請求項（抜粋）：
半導体よりなる支持枠の内側にマス部を配置し支持枠の一部とマス部とを、支持枠の厚み方向に可撓であって撓み量に応じた出力を発生する歪センサを配置した可撓部を介して一体に連結したセンサ本体と、センサ本体の厚み方向の表裏において少なくとも可撓部の延長方向におけるマス部の先端側を開放した形で支持枠に固着され支持枠の厚み方向におけるマス部の変位を許容する空間を形成するとともにエアダンピング効果によりマス部の変位を抑制する第1および第2のキャップとからなる加速度センサを製造するにあたり、複数個のセンサ本体が連続して配列されるとともに可撓部の延長方向において隣接するセンサ本体のうちの一方のマス部の前記先端と他方の支持枠との間にマス部の先端縁に沿ったスリットが形成されている半導体基板を形成し、複数個の第1のキャップが連続して配列された形状のベースの上に前記半導体基板の裏面を固着し、さらに複数個の第2のキャップが配列されるとともに可撓部の延長方向においては互いに分離されているカバーを前記半導体基板の表面に固着し、その後、前記スリットの近傍を前記スリットに沿って切断するようにダイシングを行うことを特徴とする加速度センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 A
, G01P 15/12
4M112AA02
, 4M112BA01
, 4M112CA23
, 4M112CA35
, 4M112CA36
, 4M112DA02
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112GA01
