特許
J-GLOBAL ID：200903090366113791
基板載置台、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337110
公開番号（公開出願番号）：特開平9-176860
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：
【要約】【課題】プラズマにより成膜やエッチングの処理を行うためのプラズマ処理装置に関し、被処理基板面内の成膜レートやエッチングレートの均一性を向上させる。【解決手段】プラズマ処理を行う被処理基板24を載置し、被処理基板表面24に直流バイアス電圧を発生させる交流電力を印加する電極18,19が埋め込まれた絶縁物からなる基板載置台16であって、電極18,19は互いに絶縁分離された複数の部分電極18,19に分割され、各部分電極18,19にはそれぞれ周波数の異なる交流電力を供給する交流電源21,23が接続されている。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理を行う被処理基板を載置し、前記被処理基板表面に直流バイアス電圧を発生させる交流電力を印加する電極が埋め込まれた絶縁物からなる基板載置台であって、前記電極は互いに絶縁分離された複数の部分電極に分割され、該各部分電極にはそれぞれ周波数の異なる前記交流電力を供給する交流電源が接続されていることを特徴とする基板載置台。
IPC (5件)：
C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H05H 1/46 A
, H01L 21/302 B
