特許

J-GLOBAL ID：200903090366750112

リソグラフィー用反射防止膜形成組成物

発明者： 竹井 敏 ,  水沢 賢一
出願人/特許権者： 日産化学工業株式会社
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-135982
公開番号（公開出願番号）：特開2002-333717
出願日： 2001年05月07日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたレジストパターンが得られ、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を有するリソグラフィー用反射防止膜を提供するものであり、特に近年、半導体デバイスの配線遅延を小さくするために用いられる配線材としてのCu(銅)を導入するためのデュアルダマシンプロセス用反射防止膜を提供する。【解決手段】 ハロゲン化ビスフェノールA型樹脂を含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いる反射防止膜形成組成物。該樹脂は好ましくは、少なくとも次式(1):【化1】[式中、Yは次式(2):【化2】で表される基を表す。]で表される。

請求項（抜粋）：

ハロゲン化ビスフェノールA型樹脂を含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いる反射防止膜形成組成物。

IPC (7件)：

G03F 7/11 503 ,  C08G 59/14 ,  C08J 5/18 CFC ,  C09D 5/00 ,  C09D171/00 ,  H01L 21/027 ,  C08L 63:00

FI (7件)：

G03F 7/11 503 ,  C08G 59/14 ,  C08J 5/18 CFC ,  C09D 5/00 Z ,  C09D171/00 ,  C08L 63:00 ,  H01L 21/30 574

Fターム (25件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA34 ,  4F071AA42 ,  4F071AA78 ,  4F071AA81 ,  4F071AE02 ,  4F071AH12 ,  4F071BA02 ,  4F071BB02 ,  4F071BC02 ,  4J036AD09 ,  4J036AK11 ,  4J036CA18 ,  4J036DC03 ,  4J036DC04 ,  4J036DC45 ,  4J036JA15 ,  4J038DB061 ,  4J038NA19 ,  4J038PB09 ,  5F046PA07