特許

J-GLOBAL ID：200903090367820203

半導体装置の製造方法

発明者： 葛 西 優 ,  小野田 利 康 ,  福 田 丈 二
出願人/特許権者： 株式会社芝浦製作所
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336670
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178014
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 ケミカルドライエッチングによって、半導体装置の製造のスループットの低下を避けると共に、電極接続孔の金属膜を掘り過ぎないようにしながら金属膜の残渣を実質的に全て除去することができる。【解決手段】 ケミカルドライエッチングによって電極用の接続孔11以外の領域のタングステン膜14を除去する。このケミカルドライエッチング工程はエッチング速度が比較的高速の第1のエッチングと、この第1のエッチングの後に行われるエッチング速度が比較的低速の第2のエッチングとからなる。第1のエッチングは、フッ素原子を含むガスと塩素原子を含むガスと酸素ガスとを混合した第1の反応性ガスを使用し、第2のエッチングは、フッ素原子を含むガスと酸素ガスとを混合した第2の反応性ガスを用い、第1のドライエッチングよりも低いパワーで行われる。この第2の反応性ガスはフッ素原子を含むガスと酸素ガスとの比が1:(1.5〜10)である。

請求項（抜粋）：

半導体基板の層間絶縁膜に電極用の接続孔を穿孔する工程と、上記電極用の接続孔と上記層間絶縁膜との上にバリヤメタル膜を形成する工程と、上記電極用の接続孔を埋めるように上記電極用の接続孔及び上記バリヤメタル膜の上に金属膜を形成する工程と、ケミカルドライエッチングによって上記電極用の接続孔以外の領域の上記金属膜を除去する工程とを具備する半導体装置の製造方法において、上記ケミカルドライエッチング工程は、フッ素原子を含むガスと塩素原子を含むガスと酸素ガスとを混合した第1の反応性ガスを用いた第1のドライエッチングと、上記第1のドライエッチングの後に行われ、フッ素原子を含むガスと酸素ガスとを混合した第2の反応性ガスを用いた第2のドライエッチングとを含み、上記第2のドライエッチングは上記第1のドライエッチングよりも低いパワーで行われ、上記第2の反応性ガスは上記フッ素原子を含むガスと上記酸素ガスとの比が1:(1.5〜10)であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 L