特許

J-GLOBAL ID：200903090370245180

荷電粒子応用分析装置及び荷電粒子応用描画装置

発明者： 中尾 修治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140577
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045227
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 電子ビーム(入射電荷)3aの試料(半導体基板)1表面での蓄積を防止でき、これにより試料1表面の凹凸パターンの画像を鮮明に表示することができるSEM10aを得る。【構成】 試料1が配置されている真空槽2の外部に付設された、プラズマ38を発生するための真空容器31を備え、電子ビーム3aの照射により分析が行われる上記試料1の表面にて入射電荷を上記プラズマ38により中性化するようにした。

請求項（抜粋）：

試料室内に配置された試料に荷電粒子を照射して試料の分析を行う荷電粒子応用分析装置において、上記試料室外部に付設されたプラズマ発生装置を備え、上記プラズマ発生装置内で生成されたプラズマが上記試料室内に配置された試料表面に接触するよう試料室内に導入されるとともに、この荷電粒子応用分析装置本体で生成された荷電粒子ビームが上記試料に入射されることを特徴とする荷電粒子応用分析装置。

IPC (4件)：

H01J 37/08 ,  C23C 14/48 ,  H01J 27/16 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-131731
  
• 特開昭60-202645