電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：江原省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-226744
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077258
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】ソース電極でのソースインダクタンスを低減することにある。【構成】 GaAsからなる半導体基板(11)にトランジスタ素子を形成し、その半導体基板(11)のトランジスタ素子形成部位表面の所定部位に、複数の櫛型状ゲート電極(12)をストライプ状に被着形成する。更に、そのゲート電極(12)間の一つおきに櫛型状ドレイン電極(13)をストライプ状に被着形成する。その上で、上記ドレイン電極(13)とその両側に位置するゲート電極(12)との上にSiO2等からなる共通の絶縁膜(15)を被着形成する。そして、上記絶縁膜(15)間及びその絶縁膜(15)上に、ソース電極(14)を被着させることにより面状の平面構造を有するソース電極(14)を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板にトランジスタ素子を形成し、その半導体基板のトランジスタ素子形成部位表面に、複数の櫛型状ゲート、ドレイン及びソース電極をストライプ状に被着形成したものにおいて、櫛型状のゲート及びドレイン電極上に共通の絶縁膜を被着形成し、ソース電極を上記絶縁膜上に被着形成して、各ソース電極を連結して共通した面状の平面構造としたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/44

FI (2件)：

H01L 29/80 L , H01L 29/80 U

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