メモリ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-094799
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275896
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板の上にPZT単結晶薄膜のような強誘電体単結晶薄膜を形成できるようにする。【解決手段】酸化膜を除去したSi単結晶基板12の上に蒸着法によりPtを成膜することにより、Si単結晶基板12の表面にエピタキシャルPtシリサイド薄膜13を形成する。ついで、デュアルイオンビームスパッタリング(DIBS)装置により、エピタキシャルPtシリサイド薄膜13の上にエピタキシャルてエピタキシャルPt薄膜14の上にエピタキシャルPZT薄膜15を成膜する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表面にエピタキシャル成長させられた、前記半導体基板を構成する半導体材料と同じ材料と金属材料との半導体合金膜と、前記半導体合金膜の表面に設けられたエピタキシャル金属膜と、当該エピタキシャル金属膜の表面に設けられた強誘電体単結晶薄膜とからなるメモリ素子。

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