特許

J-GLOBAL ID：200903090377497850

プラズマCVD方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011272
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205070
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 Ti等の金属膜の成膜において、表面モホロジが良好で、下地導電材料層等の腐食がなく、膜中の残留ハロゲンの少ないプラズマCVD方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 被処理基板表面、すなわち層間絶縁膜2表面、接続孔3側面および接続孔3底面に露出する半導体基板1表面を均一に水素活性種8で終端しつつ、Ti金属膜4を形成する。【効果】 金属ハロゲン化物の前駆体が被処理基板上を容易にマイグレートし、Ti金属の核4aが均一に形成される。したがって、このTi金属の核4a上にTi金属膜4が均一かつ平滑に成長する。

請求項（抜粋）：

金属ハロゲン化物および水素を含む混合ガスを用い、被処理基板上に金属膜を形成するプラズマCVD方法において、前記被処理基板表面を水素活性種で均一に終端しつつ、前記金属膜を形成することを特徴とするプラズマCVD方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/90 C