特許

J-GLOBAL ID：200903090381174861

磁気トンネル接合装置を製造する方法

発明者： アデレルホフ,デルク イェー ,  クーホールン,レインデル ,  ファン ゾン,ヨアネス ベー アー デー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-512303
公開番号（公開出願番号）：特表2003-505873
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2003年02月12日
要約：

【要約】磁気トンネル接合装置を製造する方法では2層の磁気層(3,7)及びこれら層の間に延在する障壁層(5)を有する積層体(1)が形成される。一方の磁気層はエッチングを手段として構築され、エッチング中この層の一部はレスト層(7r)が残るまで材料が除去されることで薄くされる。このレスト層は、化学転化によって不活性化される。関連する方法では、構築されるべきでない磁気層が他方の磁気層の構築中に悪影響をもたらされることが防止される。

請求項（抜粋）：

2層の磁気層と上記磁気層の間に延在する障壁層とを有する積層体が形成される磁気トンネル接合装置を製造する方法であって、 一方の上記磁気層はエッチングを用いて形成され、 上記エッチング中、上記一方の磁気層はレスト層が残るまで材料を除去することで薄くされ、その後上記レスト層の電気抵抗が化学転化によって増加されることを特徴とする方法。

IPC (8件)：

H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 41/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (8件)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (10件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034AA02 ,  5D034BA03 ,  5D034DA07 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5F083FZ10 ,  5F083PR03