特許

J-GLOBAL ID：200903090386509705

単結晶ダイヤモンド膜の合成方法

発明者： 橘 武史
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140651
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330187
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：

【要約】【課題】 基板を傷付け処理することなく白金若しくは白金合金基板又は白金又は白金合金の膜上に単結晶ダイヤモンド膜を形成することができ、結晶性が優れた単結晶ダイヤモンド膜を再現性良く形成することができる単結晶ダイヤモンド膜の合成方法を提供する。【解決手段】 単結晶ダイヤモンド膜を白金若しくは白金合金基板又は白金若しくは白金合金膜上に合成する際に、気相合成中に、一旦基板温度を強制的に低下させ、その後基板温度をダイヤモンドの核成長温度にしてダイヤモンドの気相合成を再開する。そうすると、基板の結晶性を反映して方位整合したダイヤモンドの結晶核が生成し、その後の気相合成の継続によって単結晶ダイヤモンド膜を形成することができる。この場合に、ダイヤモンド膜の合成に先立ち、基板表面に超微粒ダイヤモンドを塗布して種付けするか、又は基板に60分間以上直流又は交流バイアスを印加することにより、ダイヤモンドの核形成を促進させてもよい。

請求項（抜粋）：

白金の単体若しくは白金を50%以上含有する白金合金からなる基板又は基体に白金若しくは白金を50%以上含有する白金合金の膜が被覆された基板の上に、単結晶ダイヤモンド膜を合成し、このダイヤモンド膜の合成中に前記基板の温度を1回以上下げることを特徴とする単結晶ダイヤモンド膜の合成方法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/00

FI (4件)：

C30B 29/04 P ,  C30B 29/04 Q ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/00