特許
J-GLOBAL ID：200903090390729396
半導体単結晶の直径制御方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151404
公開番号（公開出願番号）：特開平5-319979
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月03日
要約：
【要約】【目的】 引き上げ中の単結晶の揺れや液面の変動の影響を小さし、直径の制御精度を向上する。【構成】 ブライトリング測定部70のリング検出部80は、スライスレベル設定器84の設定値を超えたビデオ信号からブライトリングの一端を検出し、リング幅計測部110の波形変換器112と計測位置検出部90のフリップフロップ96とに入力する。計測位置検出部90は、フリップフロップ96が“H”になってからの水平同期信号H.Dの数を走査線カウンタ100によって計数し、計数値が設定値になるとフリップフロップ106の出力を“H”にする。リング幅計測部110は、波形変換器112がブライトリングの円弧幅に等しい幅のパルスを出力し、幅計測用カウンタ120がNAND回路118の出力から所定のサンプリングラインにおけるブライトリングの円弧幅に相当するパルス数を計数する。
請求項（抜粋）：
融液から引き上げつつある単結晶と前記融液との境界部に生ずるブライトリングの所定位置における円弧幅を計測して前記単結晶の直径を制御する半導体単結晶の直径制御方法において、前記ブライトリングの端部から、予め定めた距離を隔てた位置における割線と交わる位置の前記ブライトリングの円弧幅を計測し、この計測値を予め定めた基準値と一致させることを特徴とする半導体単結晶の直径制御方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
