特許

J-GLOBAL ID：200903090391144383

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 三宮 仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-106726
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306944
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 光-電流変換効率の高い薄膜太陽電池を得る。【構成】 ガラス基板などの透光性絶縁基板11上に凹凸状の透明導電膜12が形成されており、その上に光電変換活性層が形成されてなる薄膜太陽電池において、その光電変換活性層裏面側のn層またはp層15として、1.7eV以上のバンドギャップを持ち、光電変換活性層の少なくともi層14の凹凸よりも大きい適切な光散乱用凹凸のある非晶質膜または微結晶シリコン膜を用いる。

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板上に光散乱用の凹凸のある透明導電膜を設け、該透明導電膜上に半導体光電変換活性層を設けた薄膜太陽電池において、該半導体光電変換活性層の裏面側のn層またはp層として、該半導体光電変換活性層の少なくともi層における凹凸よりも大きい光散乱用の凹凸のある凹凸非晶質または凹凸微結晶膜を設け、該凹凸非晶質膜または凹凸微結晶膜上に透明導電膜、さらに金属反射膜を設けた薄膜太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-224181
  
• 特開昭62-090983
  
• 特開昭63-318166
  
• 特開昭62-035680