窒化ケイ素膜、半導体装置、表示装置、発光装置、発光表示装置及び窒化ケイ素膜の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-194168
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039262
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】電界発光素子に限らず、熱的に脆弱な素子上に形成することが可能であり、且つ良好なバリア性を有する窒化珪素膜をプラズマCVD法により形成する方法を提供することを課題とする。また、当該窒化珪素膜を用いたことによる半導体装置、表示装置及び発光表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】プラズマCVD法により窒化ケイ素膜を作製する方法において、成膜時に成膜チャンバ内にシラン(SiH4)と窒素(N2)と希ガス類のガスが供給され、反応圧力が0.01Torr以上0.1Torr以下であることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

0.3atomic%以上の希ガス元素を有し、HFが4.7%、NH4Fが36.3%含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが30.0nm/min以下の特性を有する窒化ケイ素膜。

IPC (3件)：

H01L21/318 , C23C16/34 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/318 B , C23C16/34 , H01L29/78 619A

Fターム (81件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030AA20 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030FA03 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F058BA05 , 5F058BC08 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BJ04 , 5F110AA14 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (2件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-011829 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237545 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237545 出願人：日本電気株式会社

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