半導体磁電変換装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209570
公開番号（公開出願番号）：特開平9-054149
出願日： 1995年08月17日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】半導体磁電変換装置において、出力電圧における温度補償性能を向上させる。【解決手段】ホール素子と、該ホール素子からの出力電圧を差動増幅する差動増幅回路と、該差動増幅回路の定電流源をなす定電流回路と、該差動増幅回路からの出力電圧を増幅する増幅回路とからなる半導体磁電変換装置において、上記増幅回路の出力段における電流-電圧変換回路を構成する電流-電圧変換抵抗の温度特性によって、上記ホール素子における入力抵抗の温度特性を打ち消すようにすると共に、上記差動増幅回路の負荷抵抗と、上記定電流回路の定電流値を設定する設定抵抗と、上記増幅回路の負荷抵抗とにおけるそれぞれの温度特性を互いに打ち消し合うようにした。

請求項（抜粋）：

ホール素子と、該ホール素子からの出力電圧を差動増幅する差動増幅回路と、該差動増幅回路の定電流源をなす定電流回路と、上記差動増幅回路からの出力電圧を増幅する増幅回路とからなる半導体磁電変換装置において、上記増幅回路の出力段における電流-電圧変換回路を構成する電流-電圧変換抵抗の温度特性によって、上記ホール素子における入力抵抗の温度特性を打ち消すようにすると共に、上記差動増幅回路の負荷抵抗と、上記定電流回路の定電流値を設定する設定抵抗と、上記増幅回路の負荷抵抗とにおけるそれぞれの温度特性を互いに打ち消し合うようにしたことを特徴とする半導体磁電変換装置。

IPC (3件)：

G01R 33/07 , G01R 33/02 , H01L 43/06

FI (3件)：

G01R 33/06 H , G01R 33/02 X , H01L 43/06 A

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