特許

J-GLOBAL ID：200903090404360277

半導体製造装置用りんトラップ装置

発明者： 山林 稔治 ,  安部 寿充
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-123369
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327893
出願日： 2003年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】半導体製造装置からの排ガス中に含まれるりん等を経済的に吸着、除去できるりんトラップ装置を提供すること。【解決手段】反応炉101からの排ガスを吸着室7に通すことにより排ガス中のりん等を吸着、除去するようにしたりんトラップ装置1において、吸着室7が、第1筒状部材4の内側に第1筒状部材4の内側の壁面41Aと間隔をあけるようにして第2筒状部材5を設けてなる幅寸法Dが5mm以上の排ガス通過用の環状通路6を有しており、第1筒状部材4と第2筒状部材5とが冷却用装置3によって5°C〜-20°Cの範囲内に保持されており、これにより排ガスが環状通路6を通過する際に環状通路6を容易に閉塞させることなくりん等が吸着、除去される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体製造装置からの排ガスを吸着室に通すことにより前記排ガス中に含まれているりん及びりん化合物を吸着、除去するようにした半導体製造装置用りんトラップ装置において、前記吸着室が、幅5mm以上の排ガス通過用の環状通路を具えていることを特徴とする半導体製造装置用りんトラップ装置。

IPC (4件)：

H01L21/205 ,  B01D8/00 ,  B01D53/46 ,  C23C16/44

FI (4件)：

H01L21/205 ,  B01D8/00 Z ,  C23C16/44 E ,  B01D53/34 120A

Fターム (32件)：

4D002AA27 ,  4D002AC10 ,  4D002BA13 ,  4D002BA14 ,  4D002GA01 ,  4D002GB03 ,  4D002GB20 ,  4D076AA14 ,  4D076BC04 ,  4D076BE10 ,  4D076EA11Z ,  4D076EA12Z ,  4D076HA12 ,  4D076JA01 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA11 ,  4K030BA51 ,  4K030EA12 ,  4K030FA10 ,  4K030KA49 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045BB08 ,  5F045EC09 ,  5F045EG08