特許
J-GLOBAL ID：200903090405129927
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036561
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235041
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【構成】半絶縁性GaAs基板1にアンドープGaAsバッファ層2、N型GaAs動作層3、アンドープGaAs層4、N型GaAs層7、アンドープGaAs層4、N+ 型GaAs層6を順次成長する。つぎにリセスを形成したのち、ゲート電極5およびオーミック電極8を形成する。【効果】アンドープGaAs層4の中間に薄いN型GaAs層7を挿入することにより、表面安定化の効果を損なうことなく、寄生抵抗を低減することができた。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上にN型動作層およびアンドープ層が順次成長され、ゲート電極近傍にリセスが形成された電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極直下を除くリセス内のアンドープ層に少なくとも1層のN型層がはさまれていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
