特許

J-GLOBAL ID：200903090407196800

プラズマCVD法

発明者： 小金井 昭雄 ,  本宮 一興
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240410
公開番号（公開出願番号）：特開平10-088357
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月07日
要約：

【要約】【課題】 緻密性および熱的安定性が良好な薄膜を高速に形成するプラズマCVD法を提供する。【解決手段】 マイクロ波を利用したプラズマCVD法において、希ガスの流量を希ガス以外のガスの流量の4倍以上7倍以下とし、マイクロ波電力のエネルギー密度を4500J/cm3以上12000J/cm3以下とする。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生室及び該プラズマ発生室と連通する成膜室を排気手段により減圧し、希ガスおよび希ガス以外のガスを該プラズマ発生室または該成膜室に供給し、該プラズマ発生室にマイクロ波電力を供給し、該成膜室に配置された基体に薄膜を堆積させるプラズマCVD法において、前記希ガスの流量を前記希ガス以外のガスの流量で除した値が4以上7以下であり、前記マイクロ波電力の値を前記希ガス以外のガスの流量で除して得られるエネルギー密度の値が4500J/cm3以上12000J/cm3以下であることを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/30 ,  G11B 7/26 531 ,  G11B 11/10 541 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318

FI (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/30 ,  G11B 7/26 531 ,  G11B 11/10 541 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 B