特許

J-GLOBAL ID：200903090407201641

磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び該磁気ヘッドの製造方法

発明者： 田中 温子 ,  小室 又洋
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-376352
公開番号（公開出願番号）：特開2002-183912
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 電極間隔を決定するためのホトレジストパターンを形成する時点で下地パターンの段差が大きいと、安定的な狭トラック形成が不可能となる事、磁気抵抗効果膜をエッチングでパターンニングする時のオーバーエッチングによって、下部絶縁膜の膜厚が薄くなり、絶縁耐圧が悪化する事。【解決手段】 磁気抵抗効果膜30の最上面と磁区制御膜50の最上面と保護絶縁膜40の最上面が同一平面上にあるように、オーバーエッチング量及びデポ膜厚を制御することにより、リードヘッドのトラック幅形成におけるホトレジストパターン形成時の下地の段差をなくすもの。また磁区制御膜50の下に、積層された磁気抵抗効果膜30のうち外部磁気記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する第一の強磁性層が存在せず、前記第一の強磁性層以外の磁化方向が固定された第二の強磁性層または密着層、磁歪制御層、分離層等の層膜厚の一部分を存在させること。

請求項（抜粋）：

下部シールド膜と上部シールド膜の間に、少なくとも磁気抵抗効果或いは巨大磁気抵抗効果を有する薄膜を含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁界を与える磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に検知電流を供給する電極膜と、磁気媒体との対向部分において前記磁気抵抗効果膜と下部シールド層との間にある下部絶縁膜と、前記磁気抵抗効果膜と上部シールド層との間にある上部絶縁膜とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜と磁区制御膜とのパターン段差部を覆い前記磁気抵抗効果膜と前記上下シールド膜との絶縁を確保するための保護絶縁膜を有し、前記電極膜の一部が前記磁気抵抗効果膜もしくは前記磁区制御膜上に積層され、前記電極膜の電極間隔が前記磁気抵抗効果膜の幅よりも狭く形成され、前記磁気抵抗効果膜の最上面と前記磁区制御膜の最上面と前記保護絶縁膜の最上面が同一平面上にあることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (10件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BA21 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07