半導体素子の分離領域およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322240
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176605
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】この発明は、微細化に好適な半導体素子の分離領域およびその製造方法を提供しようとするものである。【構成】半導体層3中に第1の凹部4を形成し、この第1の凹部4の側壁上に側壁絶縁膜5を形成し、第1の凹部4中をシリコン層6で埋め込む。さらに第1の凹部4中に対応して設定され、シリコン層6を貫通して半導体層3中に、第1の凹部4よりもその幅が狭く、かつ深い第2の凹部7を形成し、この第2の凹部7中を絶縁物8で埋め込むことを特徴としている。この構成であると、側壁絶縁膜5が浅い分離領域として機能する。このため、浅い分離領域においては、バ-ズビ-クが発生することや、マスク合わせの必要性をなくせるので、微細化に好適となる。

請求項（抜粋）：

半導体基体中に形成された第1の凹部と、前記第1の凹部の側壁上に形成された側壁絶縁膜と、前記第1の凹部中に埋め込まれた半導体層と、前記第1の凹部中に設定され、前記半導体層を貫通して前記基体中まで形成され、前記第1の凹部よりもその幅が狭く、かつ深い第2の凹部と、前記第2の凹部中に埋め込まれた絶縁物とを具備することを特徴とする半導体素子の分離領域。

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