特許

J-GLOBAL ID：200903090414939354

単結晶の製造方法

発明者： 水庭 清治 ,  和地 三千則 ,  井谷 賢哉
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308748
公開番号（公開出願番号）：特開平11-147785
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 単結晶中の炭素濃度の制御が容易で、しかも廉価に単結晶を製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶5とGaAsの多結晶6aとを収容したるつぼを石英アンプル3内に封入し、鉛直に保持したまま加熱して多結晶6aを溶かした後、その融液を種結晶5側から徐々に固化して単結晶6を製造するアンプル封入方式を用いることにより廉価な単結晶製造装置を使用することができる。また、予め石英アンプル3中に一酸化炭素、二酸化炭素、メタン等の炭素化合物のガス状物質を一定量封入し、そのガス状物質の量を制御することにより、単結晶6中の炭素濃度を容易に制御することができる。

請求項（抜粋）：

種結晶と半導体の多結晶とを収容したるつぼをアンプル内に封入し、鉛直に保持したまま加熱して上記多結晶を溶かした後、その融液を上記種結晶側から徐々に固化して単結晶を成長させる単結晶の製造方法において、予めアンプル中に炭素化合物のガス状物質を一定量封入し、成長後の結晶中に必要量の炭素をドープすることを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 11/00 ,  C30B 27/00 ,  C30B 29/42

FI (3件)：

C30B 11/00 Z ,  C30B 27/00 ,  C30B 29/42