特許
J-GLOBAL ID:200903090416987798

圧電磁器組成物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-275345
公開番号(公開出願番号):特開平7-133152
出願日: 1993年11月04日
公開日(公表日): 1995年05月23日
要約:
【要約】【目的】PbZrO3 ーPb(Ni1/3 Nb2/3 )O3 ーPbTiO3 で表される成分系の圧電磁器組成物をであって、焼結後の歪率および比抵抗の点で優れた磁器組成物を安定に製造する方法を提供する。【構成】圧電磁器組成物を構成する金属の酸化物を出発材料とし、出発材料を混合し粉砕する工程を含む圧電磁器組成物の製造方法において、圧電磁器組成物中のニッケル及びニオブに関わる出発材料として、ニッケル対ニオブの比Ni:Nbが、Ni:Nb=0.99:2.00から1.01:2.00の範囲内にあるニオブ酸ニッケルを用いる。ニオブ酸ニッケルの粒径を1.0μmにすると、歪率,比抵抗および焼結安定性向上の効果が特に顕著である。
請求項(抜粋):
PbZrO3 ーPb(Ni1/3 Nb2/3 )O3 ーPbTiO3 で表される成分系の圧電磁器組成物を製造する方法であって、前記圧電磁器組成物を構成する金属元素の酸化物を出発材料とし、前記出発材料を混合し粉砕する工程を含む圧電磁器組成物の製造方法において、前記圧電磁器組成物中のニッケル及びニオブに関わる出発材料として、ニッケル対ニオブの比Ni:Nbが、Ni:Nb=0.99:2.00から1.01:2.00の範囲内にあるニオブ酸ニッケルを用いることを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法。
IPC (3件):
C04B 35/49 ,  C01G 53/00 ,  H01L 41/187
FI (2件):
C04B 35/49 T ,  H01L 41/18 101 F
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-071569
  • 特開昭63-011520
  • 特開平1-093419

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