特許

J-GLOBAL ID：200903090417842700

メモリ装置内のアドレッシング可能な空間を再配置させる方法及び装置

発明者： 任廷彬 ,  金慧英 ,  崔永準 ,  李東起 ,  李時潤
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (8件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉 ,  大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-145860
公開番号（公開出願番号）：特開2008-102900
出願日： 2007年05月31日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】不揮発性メモリ装置(例えば、フラッシュEEPROM装置)とプロセッサとを含む集積回路システムを提供する。【解決手段】プロセッサは、不揮発性メモリ装置と電気的に接続される。プロセッサは、不揮発性メモリ装置のアドレッシング可能な空間を再配置させる。このような再配置は、 プロセッサが受信された容量調整命令に応答して不揮発性メモリ装置内に余分のメモリアドレスに予備された物理的アドレスの個数を増加させることで実行される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの活性メモリ領域と少なくとも一つの予備メモリ領域とを含む不揮発性メモリ装置と、 受信された容量調整命令に応答して前記活性メモリ領域の容量と前記予備メモリ領域の容量とを調整するプロセッサと、 を含むことを特徴とする集積回路システム。

IPC (3件)：

G06F 12/16 ,  G06F 12/00 ,  G06F 12/02

FI (5件)：

G06F12/16 310Q ,  G06F12/00 542M ,  G06F12/00 514E ,  G06F12/00 597U ,  G06F12/02 570A

Fターム (6件)：

5B018GA06 ,  5B018KA15 ,  5B018NA06 ,  5B060AB26 ,  5B082CA08 ,  5B082FA05