特許
J-GLOBAL ID:200903090418602893

半導体回路装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-009324
公開番号(公開出願番号):特開平10-209338
出願日: 1997年01月22日
公開日(公表日): 1998年08月07日
要約:
【要約】【課題】 絶縁の信頼性が高く、製造コストの低い半導体回路装置を提供する。【解決手段】 電子部品1を実装したプリント基板2上の樹脂封止を必要とする部分、たとえば高電圧部Aの周囲を囲んで高粘度の土手塗用封止樹脂を塗布機で塗布して土手3dをあらかじめ形成し、その囲まれた中に絶縁用封止樹脂3cを充填して半導体回路基板4を構成し、それにケース6を嵌合・接着固定して半導体回路装置とする。絶縁用封止樹脂3cは低粘度でよく、細部に行き渡って充填されるので良好な絶縁性能が確保でき、また絶縁用封止樹脂3cを所定範囲に仕切る型枠を必要とせず、また型枠を除去する工程も不要となる。なお、土手3dを細いか、または細くて偏平な土手を複数回重ね塗りして所望の高さの土手3dを形成することも、また、重ね塗り回数により任意の高さの土手3dを形成することもできる。
請求項(抜粋):
電子部品を実装したプリント基板上の所定部分を絶縁用封止樹脂で樹脂封止した半導体回路基板にケースを嵌合・接着固定した半導体回路装置において、前記樹脂封止は、前記絶縁用封止樹脂により封止された部分の周囲を囲うように前記絶縁用封止樹脂よりも高粘度の土手塗用封止樹脂の絶縁を兼ねた所定幅と所定高さの土手と、前記土手に囲まれた中に充填された前記絶縁用封止樹脂とで構成された半導体回路装置。
IPC (2件):
H01L 23/28 ,  H01L 21/56
FI (2件):
H01L 23/28 C ,  H01L 21/56 E
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開平1-300531
  • 特開平1-286453
  • 特開平3-194941
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