特許
J-GLOBAL ID：200903090420136646

窒化ガリウム系半導体発光素子

発明者：
山路 太平

山路 太平 について

, 
高橋 典生

高橋 典生 について


出願人/特許権者：
星和電機株式会社

星和電機株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 孝治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-118135
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308380
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【目的】 発光強度の低下やリーク電流の増大という問題を引き起こす活性層へのダメージが少なく、活性層の成膜時のクラックを防止し、ウエハ(サファイア基板)全体の反りな極力少なくすることで、より均一な特性の窒化ガリウム系半導体発光素子とする。【構成】 絶縁基板であるサファイア基板100上に形成された活性層400とキャップ層500とからなるPN接合を有する窒化ガリウム系半導体発光素子であって、P型のワイヤボンディング用金属電極910及びN型のワイヤボンディング用金属電極920の下方には、発光に寄与する前記PN接合がない。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されたPN接合を有する窒化ガリウム系半導体発光素子において、ワイヤボンディング用金属電極の下方には、発光に寄与するPN接合がないか、又は電流を流さないPN接合がないように構成したことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93
引用特許：
審査官引用 (3件)

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