特許
J-GLOBAL ID：200903090422556596
平面線路接続器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276017
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102819
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 寸法ズレに対する電力伝送特性の劣化と電力損失の最小化。【解決手段】 上層は、切り込みを入れた第1短絡金属層3とこの第1短絡金属層3の切り込みの内側に一端が配置された第1ストリップ線路4から構成され、中層は、中層の略中央に位置する平板状の整合素子5とこの整合素子5の周囲に位置する接地金属層6から構成されている。また、下層は、上層と略同様に構成されている。本構成に基づく整合素子5の共振作用により、第1ストリップ線路4と第2ストリップ線路8とは整合素子5を介して互いに効率よく電磁的に結合されているため、寸法ズレが生じてもインピーダンス整合等の特性劣化を小さく抑えることができる。また、整合素子5を各金属層(3,6,7)及び、スルーホール(9,10)の金属からなる一連の同電位の伝導体により取り囲んで遮蔽することにより、整合素子5から周囲の空間への電力漏洩が効果的に抑止されている。
請求項（抜粋）：
電気伝導体より構成された上層、中層、下層の3層により、第1誘電体基板と第2誘電体基板とを交互に挟んだ5層構造の平面線路接続器であって、前記上層は、切り込みを入れた第1短絡金属層と、前記第1短絡金属層の切り込みの内側に、前記第1短絡金属層と離して一端が配置された第1ストリップ線路とを有し、前記中層は、前記第1短絡金属層に対面する平板状の整合素子と、前記整合素子の周囲に、前記整合素子より一定距離以上離れて位置する接地金属層とを有し、前記下層は、切り込みを入れた第2短絡金属層と、前記第2短絡金属層の切り込みの内側に、前記第2短絡金属層と離して一端が配置された第2ストリップ線路とを有し、前記整合素子が前記第1ストリップ線路、及び前記第2ストリップ線路に対して接近して配置されることにより、前記第1ストリップ線路と前記第2ストリップ線路とが前記整合素子を介して互いに電磁的に結合されていることを特徴とする平面線路接続器。
IPC (2件)：
H01P 5/02 603
, H01P 3/08
H01P 5/02 603
, H01P 3/08
