特許

J-GLOBAL ID：200903090423425568

パターン形成方法

発明者： 中島 寛幸
出願人/特許権者： 日本合成化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210026
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033955
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 セラミックス材料によるパターン形成性が良好なパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 基板上に感光性樹脂組成物層を形成した後、パターンマスクを介して露光及び現像を行い、該基板上に凹凸のレジストパターンを形成した後、該レジストパターンの凹部にセラミックス材料含有ペーストを充填し、その後該レジストパターンとセラミックス材料含有ペーストを焼成するか、或いは該レジストパターンを薬液により除去した後、セラミックス材料含有ペーストを焼成するパターン形成方法において、ベースポリマー、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤及びシラン系化合物からなる感光性樹脂組成物を用いるパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

基板上に感光性樹脂組成物層を形成した後、パターンマスクを介して露光及び現像を行い、該基板上に凹凸のレジストパターンを形成した後、該レジストパターンの凹部にセラミックス材料含有ペーストを充填し、その後該レジストパターンとセラミックス材料含有ペーストを焼成するか、或いは該レジストパターンを薬液により除去した後、セラミックス材料含有ペーストを焼成するパターン形成方法において、ベースポリマー(A)、エチレン性不飽和化合物(B)、光重合開始剤(C)及びシラン系化合物(D)からなる感光性樹脂組成物を用いることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

G03F 7/004 512 ,  G03F 7/027 501 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/032 ,  G03F 7/075 501 ,  G03F 7/09 501 ,  G03F 7/40

FI (7件)：

G03F 7/004 512 ,  G03F 7/027 501 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/032 ,  G03F 7/075 501 ,  G03F 7/09 501 ,  G03F 7/40

Fターム (34件)：

2H025AA00 ,  2H025AB11 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC32 ,  2H025BC42 ,  2H025CA01 ,  2H025CA28 ,  2H025CA30 ,  2H025CB14 ,  2H025CB20 ,  2H025CB22 ,  2H025CC06 ,  2H025DA19 ,  2H025EA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA39 ,  2H025FA48 ,  2H096AA00 ,  2H096AA27 ,  2H096BA05 ,  2H096BA20 ,  2H096CA01 ,  2H096CA20 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02