特許
J-GLOBAL ID：200903090425792665
電子部品用リード部材及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076412
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223771
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 劣悪な環境下においても腐食せず良好な半田付性が得られる電子部品用リード部材、中でも、組立工程後の半田付けが半田めっきなしで良好に行える半導体チップ実装用Pdめっきリードフレームを提供する。【解決手段】 導電性基体上に、Ni、Co、或いはこれらの合金を主成分とする下地層と、前記下地層の上にAu、Ag、Pt、Ru、Rh、In、Sn、Sb、Bi、Pb、Zn、Cd、又はこれらの合金を主成分とする中間層と、前記中間層の上に 0.001〜0.5 μm厚さのPd又はPd合金層を主成分とする表面層とを有する電子部品用リード部材。【効果】 劣悪な環境下でも腐食し難く半田付性に優れる。特にリードフレームの場合は組立工程後の半田付けが、半田めっきなしで良好になされる。
請求項（抜粋）：
導電性基体上に、Ni、Co、或いはこれらの合金を主成分とする下地層と、前記下地層の上にAu、Ag、Pt、Ru、Rh、In、Sn、Sb、Bi、Pb、Zn、Cd、又はこれらの合金を主成分とする中間層と、前記中間層の上に 0.001〜0.5 μm厚さのPd又はPd合金層を主成分とする表面層とを有することを特徴とする電子部品用リード部材。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 23/50 V
, H01L 23/50 A
, H01L 23/50 D
, C25D 7/00 G
