特許
J-GLOBAL ID：200903090428784027
半導体単結晶引き上げ用C/Cルツボ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-238374
公開番号（公開出願番号）：特開平10-059795
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：
【要約】【課題】 C/C材を全部または一部に含んで形成される半導体単結晶引き上げ用ルツボの少なくとも一部に保護用被膜を形成することにより、特に耐Si反応性にすぐれた単結晶引き上げ用ルツボを提供することを目的とする。【解決手段】 炭素繊維強化炭素複合材料を全部または一部に含んで形成される半導体単結晶引き上げ用ルツボ2の少なくとも一部に熱分解炭素の被膜3を形成した単結晶引き上げ用ルツボ1を提供することによる。
請求項（抜粋）：
炭素繊維強化炭素複合材料を全部または一部に含んで形成される半導体単結晶引き上げ用ルツボであって、前記炭素繊維強化炭素複合材料の少なくとも一部分に熱分解炭素の被膜が形成され、前記被膜は開気孔の内面まで生成することを特徴とする半導体単結晶引き上げ用ルツボ。
IPC (6件)：
C30B 15/10
, C04B 35/83
, C04B 35/52
, C04B 41/87
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
C30B 15/10
, C04B 41/87 H
, C30B 29/06 502 B
, H01L 21/208 P
, C04B 35/52 E
, C04B 35/52 G
