特許
J-GLOBAL ID：200903090430500451
半導体記憶装置とそれを用いた情報処理システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028600
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224386
出願日： 1993年01月25日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 簡単な構成でしかも一瞬にDRAMモードからFRAMモードへの切り替えを実現した新規な半導体記憶装置と使い勝手のよいメモリ装置を備えた情報処理システムを提供する。【構成】 ワード線にゲートが接続されたアドレス選択用のスイッチ素子に対して、強誘電体キャパシタと強誘電体キャパシタ又は常誘電体キャパシタの一方の電極を共通に接続し、他方の電極にそれぞれ第1と第2のプレート電圧供給線に接続させ、上記第1のプレート電圧供給線に一方の電圧に対応した第1の電圧を供給し、第2のプレート電圧供給線に他方の電圧に対応した第2の電圧を供給する第1の動作モードと、上記第1のプレート電圧供給線に上記第2の電圧を供給し、第2のプレート電圧供給線に上記第1の電圧を供給する第1の動作モードを設ける。
請求項（抜粋）：
ワード線にゲートが接続されたアドレス選択用のスイッチ素子と、データ線に上記スイッチ素子を介して一方の電極が接続され、他方の電極が第1のプレート電圧供給線に接続された強誘電体キャパシタと、上記強誘電体キャパシタと一方の電極が共通接続され、他方の電極が第2のプレート電圧供給線に接続されたキャパシタとを備え、上記第1のプレート電圧供給線に一方の電圧に対応した第1の電圧を供給し、第2のプレート電圧供給線に他方の電圧に対応した第2の電圧を供給する第1の動作モードと、上記第1のプレート電圧供給線に上記第2の電圧を供給し、第2のプレート電圧供給線に上記第1の電圧を供給する第1の動作モードとを備えてなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, G11C 11/22
, G11C 14/00
, H01L 27/04
H01L 27/10 325 C
, G11C 11/34 352 A
, H01L 27/10 325 J
