特許

J-GLOBAL ID：200903090431042660

光学増幅器およびレーザー

発明者： クリモフ, ヴィクトル アイ. ,  ミクハイロフスキ, アレクサンドル ,  ホリングスワース, ジェニファー エイ. ,  バウェンディ, マウンギ ジー. ,  レザーデイル, キャサリン エイ.
出願人/特許権者： マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー ,  ザ リージェンツ オブ ジ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-569938
公開番号（公開出願番号）：特表2003-531477
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2003年10月21日
要約：

【要約】広いバンドと幅広い範囲で特異的なバンド能力との両方を有する光学増幅器およびレーザーは、半導体ナノクリスタル固体に基づき得る。一般に、ゲイン媒体は、複数の半導体ナノクリスタルを含む。このゲイン媒体は、光放射を増幅するかまたはレイジングにより光放射を生成するために使用され得る。特に、このゲイン媒体は、濃縮された半導体ナノクリスタルの固体(例えば、半導体ナノクリスタルの細密充填フィルム)を含み、この固体は、高いゲインを提供して、短い増幅器またはキャビティの長さにわたって、光学増幅またはレイジングを生成する。

請求項（抜粋）：

ゲイン媒体であって、以下: 複数の半導体ナノクリスタルを含む濃縮された固体、を含み、ここで、該濃縮された固体が実質的に欠陥を含まない、ゲイン媒体。

IPC (3件)：

H01S 3/06 ZNM ,  H01S 3/091 ,  H01S 3/16

FI (3件)：

H01S 3/06 ZNM Z ,  H01S 3/16 ,  H01S 3/091

Fターム (7件)：

5F072AB13 ,  5F072AK10 ,  5F072FF03 ,  5F072PP01 ,  5F072PP07 ,  5F072PP10 ,  5F072YY17