特許
J-GLOBAL ID:200903090434603395
電気二重層キャパシタ分極性電極用炭素多孔体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 勝広 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-310138
公開番号(公開出願番号):特開2000-138140
出願日: 1998年10月30日
公開日(公表日): 2000年05月16日
要約:
【要約】【課題】 嵩密度が高く、体積当たりの静電容量が大きく、且つ電気抵抗の低い分極性電極を形成する炭素多孔体を提供すること。【解決手段】 石油系又は石炭系ピッチを、軟化点が280°C以上、且つメソフェーズ相が40容量%以上になるまで熱処理し、メソフェーズ相を分散して高軟化点ピッチを得る工程;得られた高軟化点ピッチを、アスペクト比が2以下の微粒子に粉砕する工程;該粉砕物を酸化処理する工程;該酸化処理物を炭化及び賦活化して炭素多孔体を得る工程からなることを特徴とする電気二重層キャパシタ分極性電極用炭素多孔体の製造方法。
請求項(抜粋):
石油系又は石炭系ピッチを、軟化点が280°C以上、且つメソフェーズ相が40容量%以上になるまで熱処理し、メソフェーズ相を分散して高軟化点ピッチを得る工程;得られた高軟化点ピッチを、アスペクト比が2以下の微粒子に粉砕する工程;該粉砕物を酸化処理する工程;該酸化処理物を炭化及び賦活化して炭素多孔体を得る工程からなることを特徴とする電気二重層キャパシタ分極性電極用炭素多孔体の製造方法。
IPC (3件):
H01G 9/058
, C01B 31/04 101
, C01B 31/08
FI (3件):
H01G 9/00 301 A
, C01B 31/04 101 B
, C01B 31/08 A
Fターム (9件):
4G046EA02
, 4G046EB02
, 4G046EB04
, 4G046EC02
, 4G046EC06
, 4G046HA07
, 4G046HB02
, 4G046HB05
, 4G046HC11
引用特許:
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