基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大渕美千栄 , 布施行夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-531116
公開番号（公開出願番号）：特表2009-509336
出願日： 2006年08月17日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。

請求項（抜粋）：

基板を保持するチャックと、ノズルマニホールド及び排気プレナムを含み、前記ノズルマニホールドが前記基板のエッジの一部をカバーし、前記排気プレナムが前記基板から離れるように延びるアイソレータと、前記ノズルマニホールド内に形成され、前記基板のエッジ又はエッジ近傍から、前記基板のエッジ近傍表面の上方を通過して前記基板のエッジ又はエッジ近傍に延び、反応種の流れを前記基板のエッジ近傍に制限するプレナムを形成する1以上の溝と、前記ノズルマニホールド内に配置された1以上のノズルと、を含み、前記1以上のノズルの少なくとも1つが、前記チャックの上面に対して垂直な角度及び水平な角度の間の角度で前記アイソレータ内に配置されている基板エッジ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/302 201A , H01L21/304 645C

Fターム (36件)：

5F004AA14 , 5F004BB18 , 5F004BB24 , 5F004DA17 , 5F004DA24 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004EA34 , 5F004EA40 , 5F157AA12 , 5F157AA14 , 5F157AA29 , 5F157AA36 , 5F157AA64 , 5F157AA76 , 5F157AB02 , 5F157AB14 , 5F157AB33 , 5F157AB90 , 5F157AC01 , 5F157BG32 , 5F157BG33 , 5F157BG34 , 5F157BG35 , 5F157BG37 , 5F157BG85 , 5F157BG86 , 5F157BH18 , 5F157BH21 , 5F157CF20 , 5F157CF24 , 5F157DA21 , 5F157DB02 , 5F157DB46 , 5F157DC90

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