縦形オーバーフローイメージセンサー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小松祐治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086506
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046165
出願日： 1984年02月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】信号電荷の深さ方向の流れに対して障壁を成す半導体ウェルの不純物濃度を徒に高くすることなく空乏層の半導体基板側への延びが少なくなるようにし、スミア、ブルーミングを少なくする。【構成】光電子の深さ方向への流れに対する障壁を成すP型半導体領域3とN型半導体基板1との間に半導体基板1の不純物濃度と異なる不純物濃度のN型半導体領域2が位置し、感光素子4の略中央部における深さ方向のポテンシャルが、上記障壁の頂部の深さを中心として略左右(浅い側と深い側)対称の分布を成す。

請求項（抜粋）：

感光素子での光電変換により生じた光電子の半導体表面から深さ方向への流れに対する障壁を成すP型半導体領域とN型半導体基板との間に該基板の不純物濃度と異なる不純物濃度のN型半導体領域が位置するようにされてなり、上記感光素子の略中央部における深さ方向のポテンシャル分布が、上記障壁の頂部の深さを中心として、浅い側と深い側とで略対称のプロフィールを成すことを特徴とする縦形オーバーフローイメージセンサー

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-125970
特開昭58-125970

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