特許
J-GLOBAL ID：200903090446957389
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084337
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032192
出願日： 1988年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 電極と処理室内壁のエッジ部との間に生じる異常放電を防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理を行う処理室(1)の内壁に形成された開口(2)のエッジ部に,例えばセラミックスなどの低誘電率の絶縁性材料から成る絶縁体(20)を,略リング状に取り付ける。開口(2)のエッジ部を絶縁体(20)で覆うようにして取り付けたので,処理時において,上部電極(11)と開口(2)のエッジ部との間で異常放電が生じることがない。
請求項（抜粋）：
処理室内に配置された被処理体をプラズマ処理する装置において,前記処理室内壁に形成されるエッジ部を絶縁体により被覆することを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H05H 1/46 A
