特許

J-GLOBAL ID：200903090455132678

半導体装置及びその製造方法

発明者： 蔵本 貴文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-123068
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319600
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 接地の強化を安価に実現することのできる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 半導体チップを接続するデバイスホール22を有する樹脂テープ23と、この樹脂テープの一方の面に配設され、一部が前記デバイスホール内に突出して複数のインナーリード24aを形成すると共に複数の電極パッド24bが形成された導体層24と、前記インナーリードと接続された半導体チップと、前記電極パッド上に形成された半田ボール25と備えた半導体装置であって、前記インナーリードの接地線を導電性材料26で接続したので、接地を強化して電気特性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップを接続するデバイスホールを有する樹脂テープと、この樹脂テープの一方の面に配設され、一部が前記デバイスホール内に突出して複数のインナーリードを形成すると共に複数の電極パッドが形成された導体層と、前記インナーリードと接続された半導体チップと、前記電極パッド上に形成された半田ボールとを備えた半導体装置であって、前記インナーリードの接地線を導電性材料で接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 501

FI (3件)：

H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 311 W ,  H01L 23/12 501 S

Fターム (4件)：

5F044MM04 ,  5F044MM08 ,  5F044MM25 ,  5F044MM48