特許

J-GLOBAL ID：200903090461947535

ITO焼結体ならびにITO透明電導膜およびその膜の形成方法

発明者： 白川 彰彦 ,  伊沢 広純 ,  野田 孝男
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 内田 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-349165
公開番号（公開出願番号）：特開平7-196365
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：

【要約】【構成】 ITO焼結体において、図1に示されるSiO2 -BiO3 二成分系における点1,2,3,4および5で囲まれる領域に相当するSiO2 及びBiO3 組成を含有する焼結体、および同一の組成の添加剤を含むITO焼結体。上記透明電導膜は、上記焼結体をターゲットとし、Ar-O2 -H2 混合ガス中でスパッタリングすることにより形成される。【効果】 焼結体の相対密度が90%以上と高く、それから形成される透明電導膜は、高い光透過率を維持しつつ、2×10-4Ωcmより低い比抵抗値を有する。

請求項（抜粋）：

ITO焼結体において、図1に示されるSiO2 -Bi2 O3 二成分系における下記組成を示す点1,2,3,4および5で囲まれる領域に相当するSiO2 及びBi2 O3 組成を含有するITO焼結体。点1:SiO2 =0.001wt%、Bi2 O3 =9.0wt%点2:SiO2 = 9.0wt%、Bi2 O3 =9.0wt%点3:SiO2 =12.0wt%、Bi2 O3 =6.0wt%点4:SiO2 =12.0wt%、Bi2 O3 =0.001wt%点5:SiO2 =0.001wt%、Bi2 O3 =0.001wt%

IPC (7件)：

C04B 35/457 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  G09F 9/30 339 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00

FI (2件)：

C04B 35/00 R ,  C04B 35/00 J