特許
J-GLOBAL ID:200903090470935124

エッチング装置およびエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-106758
公開番号(公開出願番号):特開平5-299377
出願日: 1992年04月24日
公開日(公表日): 1993年11月12日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、高段差部分を有する下地膜上に、形成される被エッチング膜のオーバエッチング時に被エッチング膜がサイドエッチングされるのを有効に防止することを目的とする。【構成】 本発明は上記目的を達成するため、エッチング装置内にSiの供給源となるSi片9を設けるように構成している。
請求項(抜粋):
エッチング室内に充填された供給ガスをプラズマ放電させることによって被エッチング物をエッチングするエッチング装置であって、前記エッチング室内の所定位置にシリコンを含むシリコン供給材を備えた、エッチング装置。

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