特許
J-GLOBAL ID：200903090471532473

静電容量型圧力センサ及びその製造方法

発明者：
宮下 治三

宮下 治三 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037618
公開番号（公開出願番号）：特開2004-245753
出願日： 2003年02月17日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】本発明はアライメント及び真空中での接合作業を簡略化し、安定した接合が可能な静電容量型圧力センサ及び製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】容量電極が形成された絶縁性の第一の基板と、ダイヤフラム電極を挟むように一方の面に真空室溝、他方の面に圧力被測定室溝が形成された第二の基板と、通気口が形成された絶縁性の第三の基板とが、容量電極及びダイヤフラム電極が対向し、かつ圧力被測定室溝と前記通気口が連通するように接合された静電容量型圧力センサであって、第二の基板の他方の面側に、ゲッタを収納するゲッタ室溝が形成され、ゲッタ室が真空室と連通していることを特徴とする。第二の基板は、シリコン層、埋込酸化層及びベースシリコン層とからなるSOI基板であって、前記真空室溝を該シリコン層に形成し、圧力被測定室溝及び前記ゲッタ室溝を該ベースシリコン層に形成したことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
容量電極が形成された絶縁性の第一の基板と、ダイヤフラム電極を挟むように一方の面に真空室溝、他方の面に圧力被測定室溝が形成された第二の基板と、通気口が形成された絶縁性の第三の基板とが、前記容量電極及び前記ダイヤフラム電極が対向し、かつ前記圧力被測定室溝と前記通気口が連通するように接合された静電容量型圧力センサであって、前記第二の基板の他方の面側に、ゲッタを収納するゲッタ室溝が形成され、ゲッタ室が真空室と連通していることを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L9/00 ,  G01L7/00 ,  H01L29/84
FI (3件)：
G01L9/00 305B ,  G01L7/00 J ,  H01L29/84 Z
Fターム (23件)：
2F055AA40 ,  2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA02 ,  4M112CA11 ,  4M112CA16 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112EA20 ,  4M112FA07 ,  4M112FA11 ,  4M112FA20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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