有機簿膜トランジスタの製造方法及びこれによって製造された有機薄膜トランジスタ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野由己男 , 稲積朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-163101
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013138
出願日： 2006年06月13日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】金属酸化物の仕事関数を有機半導体物質の仕事関数より増加させることで、向上した電気的特性、特に高電荷移動度を表す優れた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、金属酸化物ソース/ドレイン電極及び有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタを製造する方法であって、金属酸化物ソース/ドレイン電極の少なくとも一表面を、スルホン酸基を含有する自己組織化単層膜形成化合物で処理する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、金属酸化物ソース/ドレイン電極及び有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタを製造する方法において、金属酸化物ソース/ドレイン電極の少なくとも一表面を、スルホン酸基を含有する自己組織化単層膜(Self-Assembled Monolayer、SAM)形成化合物で処理することを特徴とする、有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 21/336 , H01L 29/417 , H01L 21/28

FI (10件)：

H01L29/78 616V , H01L29/28 100A , H01L29/28 220D , H01L29/28 370 , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616K , H01L29/50 M , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (39件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD77 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F110AA01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願公開第2004/0161873号明細書

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