特許
J-GLOBAL ID：200903090476796037
改善されたSN比を有する多値固定値メモリセル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-524568
公開番号（公開出願番号）：特表平11-500559
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】本発明は、第1または第2の状態(M,M′′′)を記憶するために対称形に構成されておりかつ少なくとも第3の状態(M′,M′′)を記憶するために非対称形に構成されている多値固定値メモリセルに関する。これにより得られる利点は、とりわけ、顕著な付加コストなしに、メモリ容量の2倍化が、従来のメモリセルに対してSN比が劣化されることなく実現されるという点にある。本発明は、電気的にプログラミング可能かつマスクプログラミング可能な固定値メモリ、殊に低電圧技術におけるような固定値メモリに適している。
請求項（抜粋）：
第1または第2の状態(M,M′′′)の記憶のために対称に構成されておりかつ少なくとも第3の状態(M′,M′′)の記憶のために非対称に構成されている多値固定メモリセル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 305
, G11C 17/00 641
