特許

J-GLOBAL ID：200903090481017801

反応防止用下敷き及びその製造方法並びに金属溶融・蒸発装置

発明者： 中橋 昌子 ,  伊藤 昌行 ,  石川 昌幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119180
公開番号（公開出願番号）：特開平11-310884
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】溶融金属とセラミック容器の反応を低減し、セラミック容器の寿命を長く保つ。【解決手段】金属溶融・蒸発装置20は、アルミナ容器21内に下敷きUS6、US7を搭載し、この下敷きUS6、US7上で直接または間接的(ルツボ22を使用する場合)に金属を溶融する。下敷きUS6、US7は、耐熱性に富む金属部材30、40と、この金属部材30、40表面を覆い且つこの溶融金属MTとの反応性の小さいセラミックス層31、41とを備える。

請求項（抜粋）：

金属を溶融するためのセラミック容器に搭載され且つそのセラミック容器とその容器内の溶融金属との互いの反応を防止する下敷きであって、耐熱性に富む金属部材と、この金属部材の少なくとも一部に配置され且つ前記溶融金属に対する反応性の小さい特性を有するセラミックス層とで構成したことを特徴とする反応防止用下敷き。

IPC (6件)：

C23C 28/00 ,  C23C 4/10 ,  C23C 4/12 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/24 ,  C23C 24/08

FI (6件)：

C23C 28/00 B ,  C23C 4/10 ,  C23C 4/12 ,  C23C 14/08 Z ,  C23C 14/24 A ,  C23C 24/08 C