特許
J-GLOBAL ID：200903090483332330
物質識別方法とそれを用いたセンシング部および半導体レーザ式物質識別センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115459
公開番号（公開出願番号）：特開平6-066721
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 マイクロマシーニングなどにも適用可能な小型かつ集積可能な半導体レーザ式物質識別センサを提供する。【構成】 半導体レーザ式物質識別センサは,ファブリペロー型半導体レーザ1,フォトダイオード2,受光回路3,レコーダ4および駆動回路6を有する。半導体レーザ1の発光面に接触した検査対象液体8が半導体レーザ1の特性を変化させレーザ出力光Pが変化する現象を利用して,フォトダイオード2で半導体レーザ1のレーザ出力光Pを検出して,そのレーザ出力光Pの変化をレコーダ4でプロットする。半導体レーザ1およびフォトダイオード2は小型であり半導体集積技術により同一半導体基板に集積できる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザの光出射部に接触した物質に応じて規定されるその半導体レーザの発振状態の変化を検出して上記接触物質の種別または物性を識別する物質識別方法。
IPC (2件)：
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