特許

J-GLOBAL ID：200903090486527000

厚膜パターン形成方法

発明者： 中村 剛 ,  小坂 陽三
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 内田 亘彦 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108952
公開番号（公開出願番号）：特開平10-301266
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションディスプレイ、液晶表示装置、蛍光表示装置、混成集積回路等の製造過程における厚膜パターンを形成する方法において、特に、基板上に各種パターンを重ねて形成する際の工程短縮によるコスト低減を可能とする厚膜パターン形成方法の提供にある。【解決手段】 基板上に、少なくともガラスフリットからなる無機成分及び感光性樹脂とからなるパターン形成層を設けた後、該パターン形成層を全面露光して硬化させる第1工程、硬化したパターン形成層上に、耐サンドブラスト感光性層を積層し、所望パターンを有するマスクを介して耐サンドブラスト感光性層を露光し、現像処理する第2工程、パターニングされた耐サンドブラスト感光性層をマスクとしてパターン形成層をサンドブラスト加工し、所望パターンに応じたパターン形成層を形成する第3工程とからなる。

請求項（抜粋）：

(1)基板上に、少なくともガラスフリットからなる無機成分及び感光性樹脂とからなるパターン形成層を設けた後、該パターン形成層を全面露光して硬化させる第1工程、(2)硬化したパターン形成層上に、耐サンドブラスト感光性層を積層し、所望パターンを有するマスクを介して耐サンドブラスト感光性層を露光し、現像処理する第2工程、(3) パターニングされた耐サンドブラスト感光性層をマスクとしてパターン形成層をサンドブラスト加工し、所望パターンに応じたパターン形成層を形成する第3工程、とからなることを特徴とする厚膜パターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/004 505 ,  G03F 7/26 511

FI (2件)：

G03F 7/004 505 ,  G03F 7/26 511