特許

J-GLOBAL ID：200903090487182740

半導体基板上の白金層の化学機械研磨方法

発明者： 左光 大和 ,  久保 富美夫
出願人/特許権者： 株式会社岡本工作機械製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342715
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160545
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 基板上の白金膜の薄膜化・平坦化を速い速度で行う化学機械研磨方法の提供。【解決手段】 基板の表面に研磨パッドを押し付け、基板と研磨パッド間に研磨液を介在させつつ研磨パッドを摺動させて基板上の白金層の平坦化を行う化学機械研磨方法であって、研磨液として弗化水素酸と酸素含有化合物を含有する液体を用い、かつ、化学機械研磨中に基板と研磨パッドとの間の研磨液と、基板に電圧を印加させて研磨液よりオゾンを発生させて白金層の平坦化を行うことを特徴とする、半導体基板上の白金層の化学機械研磨方法。

請求項（抜粋）：

基板の表面に研磨パッドを押し付け、基板と研磨パッド間に研磨液を介在させつつ研磨パッドを摺動させて基板上の白金層の平坦化を行う化学機械研磨方法であって、研磨液として弗化水素酸と酸素含有化合物を含有する液体を用い、かつ、化学機械研磨中に基板と研磨パッドとの間の研磨液と、基板に電圧を印加させて研磨液よりオゾンを発生させて白金層の平坦化を行うことを特徴とする、半導体基板上の白金層の化学機械研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/306 M

Fターム (22件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AB04 ,  3C058AC04 ,  3C058BA02 ,  3C058BA09 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA26 ,  5F043BB30 ,  5F043DD10 ,  5F043DD14 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07 ,  5F043GG02 ,  5F043GG04