特許

J-GLOBAL ID：200903090490551896

PZT薄膜の形成方法及びPZT薄膜

発明者： 厚木 勉 ,  米澤 政 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054680
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251022
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 基板上に下地層を介して形成したPZT薄膜の残留分極の低下を防止する。【解決手段】 基板上にPbTiX O(2X+1)(ただし0.2≦X≦0.8)下地層を形成し、この下地層上にPZT薄膜形成用前駆体溶液を塗付して熱処理することによりPZT薄膜を形成する。【効果】 膜の結晶化度、平坦性の向上のために下地層を介して形成したPZT薄膜の残留分極の低下を防止して、良好なPZT薄膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

基板上にPbTiX O(2X+1)(ただし0.2≦X≦0.8)よりなる下地層を形成し、次いでこの下地層の上にPZT薄膜形成用前駆体溶液を塗付し、熱処理してPZT薄膜を形成するPZT薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

C01G 25/00 ,  C01G 21/00 ,  C01G 23/00 ,  C23C 26/00 ,  C30B 29/32

FI (6件)：

C01G 25/00 ,  C01G 21/00 ,  C01G 23/00 C ,  C23C 26/00 C ,  C30B 29/32 D ,  C30B 29/32 Z