特許
J-GLOBAL ID：200903090490855186
半導体歪センサ及びその製造方法ならびに走査プローブ顕微鏡
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280910
公開番号（公開出願番号）：特開平11-183487
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体プローブの梁部のセンサ部にショットキー接合を形成し、半導体プローブの撓み量をショットキー接合でのダイオード特性の変化として検出できるようにした半導体歪センサを提供する。【解決手段】 歪みセンサである半導体プローブ10は、アーム部10a、支持部10b、探針10cと歪みを検出するセンサ部9によって構成されている。センサ部は、半導体表面に金属膜を形成して作成されるショットキー接合50が設けられ、アーム部10aの歪みを電気信号に変換する。センサ部には必要に応じて、歪みを加える薄膜8が形成される。
請求項（抜粋）：
片持ち梁式に支持された半導体プローブと、前記半導体プローブの少なくとも梁部表面にショットキー接合された第1の金属電極と、前記半導体プローブの表面に形成された高濃度コンタクト領域と、前記高濃度コンタクト領域に接続された第2の金属電極とを具備したことを特徴とする半導体歪センサ。
IPC (4件)：
G01N 37/00
, G01B 21/30
, G01L 1/18
, H01L 29/84
G01N 37/00 G
, G01B 21/30 Z
, G01L 1/18 A
, H01L 29/84 D
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (15件)
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特開平2-067966
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特開平2-067966
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半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-044619
出願人：オリンパス光学工業株式会社
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