特許
J-GLOBAL ID：200903090497406050
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-240469
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067966
出願日： 1997年08月20日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 発光ダイオードが静電気によって破壊されることがあった。【解決手段】 発光ダイオードチップ2を光透過性樹脂封止体5で被覆する。第1及び第2のリード3、4を支持する抵抗性支持基体17を設ける。抵抗性支持基体17の第1及び第2のリード3、4間の抵抗値を50kΩ〜50MΩとする。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、前記半導体チップに接続された少なくとも第1及び第2の端子導体と、前記半導体チップの絶縁性包囲体とを備え、前記第1及び第2の端子導体の少なくとも一部が前記包囲体の外側に配置されている半導体装置において、前記第1及び第2の端子導体を支持するための支持基体が設けられ、前記支持基体は空気よりも抵抗率の小さい抵抗性物質で形成され、前記第1及び第2の端子導体間における前記支持基体の抵抗値が50kΩ〜50MΩであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 E
, H01L 33/00 N
